2SA2040/2SC5707
Continued from preceding page.
Parameter
Base Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
IB
PC
Tj
Tstg
Tc=25°C
Conditions
Ratings
(--)2
1.0
15
150
--55 to +150
Unit
A
W
W
°C
°C
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
Conditions
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)3.5A, IB=(--)175mA
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
IC=(--)10μA, IE=0A
IC=(--)100μA, RBE=0Ω
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
(--50)100
(--50)100
(--)50
(--)6
(40)30
(225)420
25
200
(290)330
(50)28
(--230)160
(--240)110
(--)0.83
(--390)240
(--400)170
(--)1.2
Ratings
min
typ
max
(-
-)0.1
(--)0.1
560
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Unit
μA
μA
Switching Time Test Circuit
PW=20μs
D.C.≤1%
INPUT
VR
50Ω
RB
+
100μF
VBE= --5V
+
470μF
VCC=25V
IB1
IB2
OUTPUT
RL
20IB1= --20IB2=IC=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.
Ordering Information
Device
2SA2040-E
2SC5707-E
2SA2040-TL-E
2SC5707-TL-E
Package
TP
TP
TP-FA
TP-FA
Shipping
500pcs./bag
500pcs./bag
700pcs./reel
700pcs./reel
Pb Free
memo
No.6913-2/10
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
