2SA2040/2SC5707
Specifications
Note*( ) : 2SA2040
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
Tstg
Tc=25°C
Conditions
Ratings
(-
-50)80
(-
-50)80
(--)50
(--)6
(--)8
(-
-)11
(--)2
1.0
15
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
Conditions
VCB=(--)40V, IE=0
VEB=(--)4V, IC=0
VCE=(--)2V, IC=(-
-)500mA
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)3.5A, IB=(-
-)175mA
IC=(--)2A, IB=(-
-)40mA
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
IC=(--)10µA, IE=0
IC=(--)100µA, RBE=∞
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(-
-)10µA, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
(-
-50)80
80
(-
-)50
(--)6
(40)30
(225)420
25
200
(290)330
(50)28
(--230)160 (--390)240
(--240)110 (--400)170
(--)0.83
(--)1.2
Ratings
min
typ
max
(--)0.1
(--)0.1
560
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Unit
µA
µA
Swicthing Time Test Circuit
PW=20µs
D.C.≤1%
INPUT
VR
50Ω
RB
+
100µF
+
470µF
IB1
IB2
OUTPUT
RL
VBE= --5V
VCC=25V
20IB1= --20IB2= IC=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.
No.6913-2/5
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
