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08C02SS
NPN外延平面硅晶体管
08C02SS
应用
•
低频通用
扩增fi er应用
低频放大器，高速开关，直流/直流转换器，噪声抑制电路。
特点
•
•
•
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压（电阻） ： RCE （SAT）典型值= 240mΩ [ IC = 1A ， IB = 50毫安] 。
超小型封装有助于终端产品的小型化。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在玻璃环氧基板（20 ！ 30 ！ 1.6毫米）
条件
评级
15
8
5
0.8
1.6
200
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
VCB = 12V， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC = 50毫安
VCE = 2V ， IC = 50毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 30mA时IB = 0.6毫安
IC = 400毫安， IB = 20mA下
IC = 400毫安， IB = 20mA下
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
15
8
5
300
440
6
17
110
0.9
40
250
1.2
条件
评级
民
典型值
最大
100
100
800
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
单位
nA
nA
标记： YT
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
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