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12A01SS 参数 Datasheet PDF下载

12A01SS图片预览
型号: 12A01SS
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内容描述: 低频通用放大器应用 [Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 4 页 / 32 K
品牌: SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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订购数量: ENN7481
12A01SS
PNP外延平面硅晶体管
12A01SS
低频
通用运算放大器应用
应用
包装尺寸
单位:mm
2159A
[12A01SS]
顶视图
1.4
0.3
低频放大器,噪声抑制电路。
特点
大电流电容。
低集电极 - 发射极间的饱和电压(电阻) 。
RCE (SAT)典型值= 0.57Ω [ IC = 0.5A , IB = 25毫安。
超小尺寸,超薄,扁平引脚封装。
(1.4mm!0.8mm!0.6mm)
小的导通电阻( RON) 。
SIDE VIEW
0.1
0.25
3
0.8
0.3
1.4
1
0.45
0.2
2
底部视图
0.07
0.07
SIDE VIEW
0.6
3
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
三洋: SSFP
2
1
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在玻璃环氧基板(20 ! 30 ! 1.6毫米)
条件
评级
--15
--12
--5
--500
--1.0
200
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
VCB = - 12V , IE = 0
VEB = -
-4V , IC = 0
VCE = - 2V , IC = - 10毫安
VCE = - 2V , IC = - 50毫安
300
490
条件
评级
典型值
最大
--0.1
--0.1
700
兆赫
单位
µA
µA
标记: XP
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
O2203 TS IM TA- 100569 No.7481-1 / 4