2SA1417 / 2SC3647
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 100V ， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 100毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 1A ， IB = （ - ）百毫安
IC = （ - ） 1A ， IB = （ - ）百毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
(-
-)120
(-
-)100
(--)6
(80)80
(750)1000
(40)50
100*
120
(25)16
(--0.22)0.13
(-
-)0.85
(--0.6)0.4
(--)1.2
评级
民
典型值
最大
(--)100
(--)100
400*
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
nA
nA
*
：本2SA1417 / 2S3647的分类网络版由100毫安的hFE为follws ：
秩
的hFE
R
100至200
S
140至280
T
200至400
开关时间测试电路
IB1
产量
IB2
VR
50Ω
RB
+
100μF
VBE = --5V
+
470μF
VCC=50V
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
RL
IC = 10IB1 = --10IB2 = 0.7A
对于PNP ，极性是相反的。
订购信息
设备
2SA1417S-TD-E
2SA1417T-TD-E
2SC3647S-TD-E
2SC3647T-TD-E
包
PCP
PCP
PCP
PCP
航运
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
无铅
备忘录
No.2006-2/7
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
