订购数量： ENA1085
2SA1965-S
三洋半导体
数据表
2SA1965-S
特点
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•
•
•
PNP外延平面硅晶体管
静音电路中的应用
要作出超小尺寸封装，允许应用集小巧玲珑。
小的输出电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
低导通电阻。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
条件
评级
--15
--10
--5
--100
--200
--20
150
150
--55到150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = -
-12V ， IE = 0A
VEB = - 4V ， IC = 0A
VCE = -
-2V ， IC = -
-5mA
VCE = -
-5V ， IC = -
-10mA
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
200
600
5.0
评级
民
典型值
最大
--0.1
--0.1
600
兆赫
pF
单位
μA
μA
标记： KA
接下页。
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