2SA2125 / 2SC5964
从接下页。
参数
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 250毫米
×0.8mm)
Tc=25°C
2
条件
评级
(--)3
(-
-)6
(--)600
1.3
3.5
150
-
-55到+150
单位
A
A
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
VCB = （ - ） 40V， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ - ） 100毫安
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 500毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 1A ， IB = （ - ） 50毫安
IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ）百毫安
IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ）百毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A
IC = （ - ） 100μA ， RBE = 0Ω
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
(--50)100
(--50)100
(-
-)50
(--)6
(30)35
(230)300
(18)25
200
(390)380
(24)13
(--125)100
(--250)190
(--)0.94
(--230)150
(--500)290
(--)1.2
评级
民
典型值
最大
(-
-)1
(--)1
560
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
μA
μA
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
IB1
产量
IB2
VR
50Ω
+
100μF
VBE = --5V
+
470μF
VCC=25V
RB
RL
IC = 10IB1 = --10IB2 = 1A
对于PNP ，极性是相反的。
订购信息
设备
2SA2125-TD-E
2SA2125-TD-H
2SC5964-TD-E
2SC5964-TD-H
包
PCP
PCP
PCP
PCP
航运
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
备忘录
无铅
无铅和无卤素
无铅
无铅和无卤素
No.7988-2/8
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
