注文コード第N 8 3 5 7
2SA2168
2SA2168
特長
· MBITプロセス采用。
・高耐圧で、電流容量が大きい。
PNPエピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ
高耐圧スイッチング用
絶対最大定格
绝对最大额定值/ TA = 25 ℃
項目
記号
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
コレクタ電流
（パルス）
コレクタ損失
接合部温度
保存周囲温度
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
条件
定格値
− 180
− 160
−6
− 1.5
− 2.5
1.5
150
− 55 ∼＋ 150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
電気的特性
电气特性/ TA = 25 ℃
項目
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
出力容量
コレクタ・エミッタ�½和電圧
ベース・エミッタ�½和電圧
��レクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
ターンオン時間
蓄積時間
下降時間
記号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
S
140 ∼ 280
T
200 ∼ 400
条件
VCB = - 120V ， IE = 0A
VEB = - 4V ， IC = 0A
VCE = - 5V ， IC = - 百毫安
VCE = - 5V ， IC = - 10毫安
VCE = - 10V ， IC = - 50毫安
VCB = - 10V ， F = 1MHz的
IC = - 500毫安， IB = - 50毫安
IC = - 500毫安， IB = - 50毫安
IC = - 10μA ， IE = 0A
IC = - 1mA时， RBE = ∞
IE = - 10μA ， IC = 0A
指定回路において
指定回路において
指定回路において
− 180
− 160
−6
40
0.7
40
140 ※
80
120
22
− 200 − 500
− 0.85 − 1.2
民
定格値
典型值
最大
−1
−1
400 ※
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
ns
µs
ns
单位
µA
µA
※ ： 2SA2168は百毫安的hFEにより次のように分类している。
ランク
的hFE
本書記載の�½品は、極めて高度の信頼性を要する用途
（生�½維持装�½�、
航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）
に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動�½�条件範囲等) を瞬時たりとも越えて�½�用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑�½郡大泉町坂田一丁目1番1号
62005CB MS IM ◎川浦TB- 00001469 No.8357-1 / 3
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
