订购数量： ENA0462
2SA2196 / 2SC6101
三洋半导体
数据表
2SA2196 / 2SC6101
应用
•
PNP / NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪存。
特点
•
•
•
•
•
通过MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
高允许功耗。
特定网络阳离子
（）： 2SA2196
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
(--30)40
(--)30
(-
-)6
(-
-)5
(-
-)7
(-
-)600
1
8
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = （ - ） 30V ， IE = 0A
VEB = （ - ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 2V ， IC = （ -
-)500mA
VCE = （ - ） 10V ， IC = （ - ） 500毫安
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
评级
民
典型值
最大
(--)0.1
(--)0.1
200
(380)450
(25)20
560
兆赫
pF
单位
µA
µA
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
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最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
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AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
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