订购数量： ENA0583
2SA2202
三洋半导体
数据表
2SA2202
应用
•
PNP外延平面硅晶体管
高压开关的应用
直流/直流转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪存。
特点
•
•
•
•
•
采用FBET的， MBIT过程。
大电流电容。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
高允许功耗。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 250毫米
✕0.8mm)
2
条件
评级
--100
--100
--100
--7
--2
--3
--400
1.3
3.5
150
--55到150
单位
V
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
Tc=25°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = -
-80V ， IE浏览器= 0A
VEB = -
-4V ， IC = 0A
VCE = -
-5V ， IC = - 100毫安
VCE = -
-10V ， IC = - 500毫安
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
200
300
23
评级
民
典型值
最大
--1
--1
400
兆赫
pF
单位
µA
µA
标记： RC
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
用这样的描述或包含任何三洋半导体的产品在此之前，最近的你
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
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