订购数量： ENN6324
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SA608N/2SC536N
低频
通用运算放大器应用
应用
·能够使用的，在低频到高
频率范围。
包装尺寸
单位：mm
2164
[2SA608N/2SC536N]
4.5
3.7
特点
·大电流容量，广ASO 。
0.45
3.5
1.4max
0.6
1.27
4.0max
13.7
14.0
0.5
0.45
4.5
0.44
1
2.5
2
2.5
3
1 ：发射器
2 ：收藏家
3 ：基本
三洋： NPA- WA
（）： 2SA608N
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
条件
评级
(–50)60
(–)50
(–)6
(–)150
(–)400
500
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
VCB = （ - ） 40V， IE = 0
VEB = （ - ） 5V ， IC = 0
VCE = （ - ） 6V ， IC = （ - ） 1毫安
VCE = （ - ） 6V ， IC = （ - ） 0.1毫安
160*
70
条件
评级
民
典型值
最大
(–)0.1
(–)0.1
560*
单位
µA
µA
接下页。
*本2SA608N / 2SC536N进行分类1毫安ħ
FE
如下
秩
的hFE
F
160到320
G
280〜 560
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
10700TS （ KOTO ） TA- 2543 No.6324-1 / 4
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
