订购数量： EN2040B
2SB1122 / 2SD1622
三洋半导体
数据表
2SB1122 / 2SD1622
应用
•
PNP / NPN外延平面硅晶体管
低频功率放大器的应用
稳压器继电器驱动器，灯驱动器，电气设备。
特点
•
•
采用FBET过程。
超小的尺寸使其易于提供高密度混合集成电路。
特定网络阳离子
（）： 2SB1122
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 250毫米
2
✕0.8mm)
条件
评级
(--)60
(--)50
(--)5
(--)1
(--)2
500
1.3
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
ICBO
IEBO
条件
VCB = （ - ） 50V ， IE = 0A
VEB = （ -
- ） 4V ， IC = 0A
评级
民
典型值
最大
(-
-)100
(-
-)100
单位
nA
nA
标记2SB1122 ： BE
2SD1622 ： DE
接下页。
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