2SB1274/2SD1913
从接下页。
参数
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
hFE1
hFE2
fT
COB
VCE （ SAT ）
VBE
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
条件
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ -
-)0.5A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ -
-)3A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ -
-)0.5A
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 2A ， IB = （ - ） 0.2A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ -
-)0.5A
IC = （ - ） 1mA时， IE = 0
IC = 5毫安， RBE = ∞
IE = （ -
- ） 1mA时， IC = 0
(--)60
(--)60
(--)6
评级
民
70*
20
100
(60)40
(--)0.4
(--)0.8
(--)1
(--)1
兆赫
pF
V
V
V
V
V
典型值
最大
280*
单位
*：本2SBB1274 / 2SD1913通过0.5A的hFE分类如下：
秩
的hFE
Q
70至140
R
100至200
S
140至280
mA
2SB1274
--50
--
mA
45m
A
--2.5
--4
0
--35
mA
--30mA
--25mA
50mA
45mA
--3.0
IC - VCE
3.0
IC - VCE
mA
A
30
25m
MA MA
40 35
20mA
2SD1913
15mA
2.5
集电极电流， IC - 一个
--2.0
集电极电流， IC - 一个
--20mA
--15mA
2.0
10mA
1.5
--1.5
--10mA
--1.0
--5mA
1.0
5mA
--0.5
0.5
0
0
--1
--2
--3
--4
IB=0
--5
--6
IT02816
0
0
1
2
3
4
IB=0
5
6
IT02817
集电极 - 发射极电压VCE - V
--3.6
--3.2
IC - VBE
集电极 - 发射极电压VCE - V
3.6
3.2
IC - VBE
2SB1274
VCE = --5V
集电极电流， IC - 一个
2SD1913
VCE=5V
集电极电流， IC - 一个
--2.8
--2.4
--2.0
--1.6
2.8
2.4
2.0
0
°
Ta
=1
2
25
°
--40
C
°
C
--1.2
--0.8
--0.4
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
1.2
0.8
0.4
0
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
0
0.2
0.4
0.6
TA 〜
1
25
°
C
--40
°
C
0.8
1.0
1.6
C
20
°
C
1.2
1.4
IT02819
基极发射极电压VBE - V
IT02818
基极发射极电压VBE - V
No.2246-2/4
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
