订购数量： ENA0474
2SB1740
三洋半导体
数据表
2SB1740
特点
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PNP外延平面硅晶体管
驱动器应用
大电流电容。
宽的ASO和对击穿的高耐久性。
通过MBIT过程。
附件操作性是由云母少包好。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
Tc=25°C
条件
评级
--160
--120
--6
--12
--20
3.0
75
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
COB
条件
VCB = -
-160V ， IE = 0A
VEB = - 4V ， IC = 0A
VCE = -
-5V ， IC = -
-1A
VCE = -
-5V ， IC = -
-5A
VCE = -
-5V ， IC = -
-1A
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
100
35
10
280
兆赫
pF
评级
民
典型值
最大
--0.1
--0.1
200
单位
mA
mA
接下页。
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通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
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设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
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