订购数量： 346G
PNP / NPN外延平面硅晶体管
2SB631,631K/2SD600,600K
100V / 120V ， 1A低频
功率放大器的应用
特点
·高击穿电压V
首席执行官
100 / 120V ，高
电流1A 。
·低饱和电压，优良的ħ
FE
线性度。
包装尺寸
单位：mm
2009B
[ 2SB631 ， 631K / 2SD600 ， 600K ]
1 ：发射器
2 ：收藏家
（ ） ： 2SB631 ， 631K
3 ：基本
JEDEC ： TO- 126
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
条件
2SB631 ， D600
(–)100
(–)100
2SB631K ， D600K
(–)120
(–)120
(–)5
(–)1
(–)2
1
单位
V
V
V
A
A
W
W
Tc=25˚C
Tj
TSTG
8
150
-55到+150
˚C
˚C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压Brakdown
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
V（ BR ） CBO IC = （ - ） 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
IE = （ - ） 10μA ， IC = 0
VCB = （ - ） 50V ， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
条件
B631 ， D600
B631K ， D600K
B631 ， D600
B631K ， D600K
评级
民
(–)100
(–)120
(–)100
(–)120
(–)5
(–)1
(–)1
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
µA
µA
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务指挥部
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