订购数量： EN0572F
2SA1016 ， 1016K / 2SC2362 ， 2362K
三洋半导体
数据表
2SA1016 ， 1016K
2SC2362 ， 2362K
特定网络阳离子
（ ） ： 2SA1016 ， 1016K
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
PNP / NPN外延平面硅晶体管
高压低噪声放大器
应用
条件
2SA1016 ， 2SC2362
(--)120
(--)100
(--)5
(--)50
(--)100
400
125
--55到125
2SA1016K ， 2SC2362K
(--)150
(--)120
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
条件
VCB = （ - ） 80V， IE = 0A
VEB = （ -
- ） 4V ， IC = 0A
VCE = （ - ） 6V， IC = （ -
-)1mA
VCE = （ - ） 6V， IC = （ -
-)1mA
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
IC = （ - ） 10毫安， IB = （ - ） 1毫安
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A [ 2SA1016 ， 2SC2362 ]
IC = （ - ） 10μA ， IE = 0A [ 2SA1016K ， 2SC2362K ]
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞ [ 2SA1016 ， 2SC2362 ]
IC = （ - ） 1mA时， RBE = ∞ [ 2SA1016K ， 2SC2362K ]
IE = （ -
- ） 10μA ， IC = 0A
(--)120
(--)150
(--)100
(--)120
(--)5
160*
(110)130
(2.2)1.8
(--)0.5
评级
民
典型值
最大
(--)1.0
(--)1.0
960*
兆赫
pF
V
V
V
V
V
V
单位
μA
μA
接下页。
*
：本2SA1016,1016K / 2SC2362 ， 2362K是由1毫安的hFE如下分类：
秩
的hFE
F
160到320
G
280〜 560
H
480到960
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"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
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设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
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