订购数量： ENN6097A
P沟道MOSFET硅
2SJ563
超高速开关应用
特点
·低导通电阻。
·超高速开关。
· 4V的驱动器。
包装尺寸
单位：mm
2062A
[2SJ563]
4.5
1.6
1.5
0.5
3
1.5
2
3.0
0.75
1
1.0
0.4
2.5
4.25max
0.4
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： PCP
（底视图）
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
条件
评级
–30
±20
–2
–8
1.5
3.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
˚C
˚C
安装在陶瓷板（ 250毫米
2
×
0.8mm)
Tc=25˚C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
ID = -1mA ， VGS = 0
VDS = -30V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = -10V ，ID = -1mA
VDS = -10V ，ID = -1A
ID = -1A ， VGS = -10V
ID = -300mA ， VGS = -4V
–1.0
1.2
1.7
240
400
315
550
条件
评级
民
–30
–10
±10
–2.5
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
标记： JO
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
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在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
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