订购数量： ENN5374A
2SK2379
N沟道MOSFET硅
2SK2379
超高速开关应用
特点
•
•
•
•
包装尺寸
单位：mm
2063A
[2SK2379]
10.0
3.2
3.5
7.2
低导通电阻。
超高速开关。
低电压驱动。
Micalless包facilitaing安装。
4.5
2.8
18.1
16.0
14.0
1.6
1.2
0.75
1 2
3
2.55
2.4
5.6
2.4
0.7
2.55
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220ML
评级
200
±20
20
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
2.55
2.55
条件
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25°C
80
2.0
40
150
--55到150
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V（ BR ） DSS
V（ BR ） GSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
IG = ± 100μA ， VDS = 0
VDS = 200V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 10A
1.5
9.5
16
评级
民
200
±20
100
±10
2.5
典型值
最大
单位
V
V
µA
µA
V
S
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
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