订购数量： ENN7081
2SK2625LS
N沟道MOSFET硅
2SK2625LS
超高速开关应用
初步
特点
•
•
包装尺寸
单位：mm
2078C
[2SK2625LS]
10.0
3.2
3.5
7.2
低导通电阻。
低的Qg 。
4.5
2.8
16.1
16.0
3.6
0.9
1.2
14.0
1.2
0.75
0.7
1 2 3
2.4
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
Tc=25°C
条件
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
三洋： TO- 220FI （ LS ）
评级
600
±30
4
16
2.0
30
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
2.55
2.55
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS （ ON）
条件
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 600V ， VGS = 0
VGS = ± 30V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ， ID = 2.5A
ID = 2.5A ， VGS = 15V
评级
民
600
1.0
±100
3.5
1.5
3.0
1.5
2.0
5.5
典型值
最大
单位
V
mA
nA
V
S
Ω
标记： K2625
0.6
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
O2501 TS IM TA- 3475 No.7081-1 / 4
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
