2SK3505-01MR
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
80
70
300
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 14A
250
60
200
50
40
30
20
50
10
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
25
50
75
100
125
150
EAV [兆焦耳]
PD [ W]
150
100
TC [
°
C]
开始总胆固醇[C]
°
典型的输出特性
ID = F （ VDS ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
30
28
26
24
22
20
20V
10V
8V
7.5V
10
典型的传输特性
ID = F （ VGS ）为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
ID [ A]
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
VGS=6.5V
7.0V
ID [ A]
1
0.1
0
18
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
100
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
1.0
0.9
VGS=6.5V
0.8
0.7
7.0V
7.5V
RDS （上）
Ω
]
10
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
8V
10V
20V
GFS [S]
1
0.1
0.1
1
10
0.0
0
5
10
15
20
25
30
ID [ A]
ID [ A]
2
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
