订购数量： ENN6925
CPH3313
P沟道MOSFET硅
CPH3313
超高速开关应用
特点
•
•
•
包装尺寸
单位：mm
2152A
[CPH3313]
0.2
低导通电阻。
超高速开关。
2.5V驱动器。
2.9
0.4
0.6
0.15
3
0.05
1.6
2.8
1
1.9
2
0.6
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷基板
条件
0.7
0.9
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
三洋： CPH3
0.2
评级
-
-20
±10
--1.6
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
-
6.4
-
(900mm
2
!0.8mm)
1
150
--55到150
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0
VDS = -
-20V ， VGS = 0
VGS = ± 8V ， VDS = 0
VDS = -
-10V ， ID = 1毫安
VDS = -
-10V ， ID = 0.8A
ID = - 0.8A ， VGS = -
-4V
ID = - 0.4A ， VGS = -
-2.5V
VDS = -
-10V ， F = 1MHz的
VDS = -
-10V ， F = 1MHz的
VDS = -
-10V ， F = 1MHz的
评级
民
--20
--1
±10
-
-0.4
1.6
2.3
180
240
290
40
25
235
340
--1.3
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
标记： JN
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
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在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
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20101 TS IM TA- 3062 No.6925-1 / 4
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