LC72720N ， 72720NM
3.同步和RAM地址复位（1位） ： SYR
SYR
0
1
同步检测电路
正常操作（复位清零）
被迫的不同步状态（同步复位）
内存
正常写（见OWE位的描述）。
后复位清零，开始从数据前的写
建立同步，即在后向保护的数据。
初始值： SYR = 0
注：1，要暂时使用CCB应用同步复位， SYR设置为1 ，然后用建行再设置回0 。
该电路将开始同步捕获操作，在SYR被设置为0的点。
2. SYR引脚（引脚24），还提供了一个相同的复位控制操作。应用程序可以使用两种方法。但是，该控制方法
不使用必须被设置为0时刻。拥有超过250纳秒的宽度任何脉冲就足够了。
的接收信道被改变之后3.一种复位，必须立即使用。如果复位没有从前面的施加，接收数据
信道可以保持在存储器中。
4.数据读出后同步复位，读出开始建立之前的反向保护块数据
同步。
4. RAM写入控制（ 1位） ： OWE
欠
0
1
RAM写入条件
只对同步已建立的数据写入。
的量的同步尚未确立的数据（非同步的数据）也被写入。 （然而，这适用于当SYR = 0 ）
初始值： OWE = 0
5.错误矫正方法设定（5比特） ： EC 0到EC4
E E E
C C C
0 1 2
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
0
1
1
数
位修正
E E
C C
3 4
0
1
0
1
0
0
1
1
软判决的设置
模式0 ：硬判决
模式1 ：软判决一
模式2 ：软判决B
非法值
0 0 （错误检测专用）
0
0
0
1
1
1
1
1个或更少的位
2个或更少的位
3个或更少的位
4或更少的位
5个或更少的位
非法值
非法值
初始值： EC 0 = 0， EC1 = 1， EC2 = 0， EC3 = 0， EC4 = 1
注： 1。如果指定的软判定或B的软判定，软判决控制将即使进行校正被设定为0的比特的数目（错误
仅检测） 。通过这些设置，数据将输出没有错误的块。
2.相对于B软判决，软判决的设置抑制了软判决纠错。
6.晶体振荡器频率选择（ 1位） ： XS
XS = 0 ： 4.332兆赫
XS = 1： 8.664兆赫
初始值： XS = 0
7.解调电路的相位控制（2比特） ： PL0 ， PL1
PL0
0
1
PL1
0/1
0
1
解调电路相位控制
<Normal operation>当ARI的存在或不存在不明确。
如果该电路判断为ARI的信号不存在： 90 °相
如果该电路判断为ARI信号存在：0°相位
初始值： PL0 = 0， PL1 = 1
注：1。当PL0为0（正常操作）时，IC检测到的ARI信号的存在或不存在下和通过自动再生RDS数据
控制相对于所述再生载波的解调相位。然而，下面的同步复位的初始相位被设置
由PL1 。
2.如果PL0被设置为1时，解调电路的相位是按照在PL1设置锁定或者90 °（ PL1 = 0）或0°（ PL1 = 1） ，从而允许RDS
数据被再现。当ARI不存在， PL1的应设置为0 ，由于RDS数据是通过检测以90°的相位再现
相对于所述再生载波。当ARI是本， PL1的应设置为1 ，由于检测是在0℃ 。在案件的ARI的地方
存在是事先已知的，更稳定的再生可通过固定的解调相位以这种方式来实现。
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SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
