LC72722 ， 72722M ， 72722PM
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25 ℃， Vssd的= = Vssa连接0 V
参数
最大电源电压
符号
V
DD
最大
V
IN
1 MAX
最大输入电压
V
IN
2最大
V
IN
3最大
V
O
1 MAX
最大输出电压
V
O
2最大
V
O
3最大
I
O
1 MAX
最大输出电流
I
O
2最大
I
O
3最大
允许功耗
钯最大
条件
VDDD ，的Vdda ：的Vdda
≤
VDDD +0.3 V
CL ，DI CE， SYR中，T1 ，T2，T3 ，T4，T5 ， T6，T7，同步
XIN
MPXIN ， CIN
DO ，SYNC的RDS -ID ，T3，T4 ， T5，T6， T7启动
XOUT
藐视
DO， T3，T4， T5，T6， T7启动
XOUT ，藐视
SYNC ， RDS -ID
LC72722 ： DIP24S ：
Ta
≤
85°C
LC72722M ： MFP24S ：
LC72722PM ： MFP24 ：
工作温度
储存温度
TOPR
TSTG
评级
-0.3到+7.0
-0.3到+7.0
-0.3到+0.3 Vddd的
-0.3到+0.3的Vdda
-0.3到+7.0
-0.3到+0.3 Vddd的
-0.3到+0.3的Vdda
6.0
3.0
20.0
350
150
175
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
mW
mW
°C
°C
允许的工作范围
在Ta = -40〜+ 85°C ， Vssd的= = Vssa连接0 V
参数
符号
V
DD
1
V
DD
2
V
IH
V
IL
V
O
V
IN
1
输入幅度
V
IN
2
V
XIN
保证晶体振荡器的频率
晶体振荡器的频率偏差
数据建立时间
数据保持时间
时钟低级别的时间
时钟高电平时间
CE等待时间
CE建立时间
CE保持时间
CE高电平时间
数据锁存器更改时间
XTAL
txtal
t
SU
t
HD
t
CL
t
CH
t
EL
t
ES
t
EH
t
CE
t
LC
t
DC
数据输出时间
t
DH
DO， CL：不同而不同的值
上拉电阻使用。
DO ，CE ：不同而不同的价值
条件
VDDD ，的Vdda ： Vddd的=的Vdda
VDDD ：串行数据保持电压
CL ， DI ， CE， SYR ， T1 ， T2
CL ， DI ， CE， SYR ， T1 ， T2
DO ，SYNC的RDS -ID ，T3，T4 ， T5，T6， T7启动
MPXIN ： F = 57 ±2千赫兹
MPXIN ：100％调制的复合
XIN
XIN ， XOUT ： CI
≤
120
Ω
物（XS = 0）
XIN ， XOUT ： CI
≤
70
Ω
物（XS = 1）
XIN ， XOUT ：F
O
= 4.322兆赫， 8.664兆赫
DI ， CL
DI ， CL
CL
CL
CE， CL
CE， CL
CE， CL
CE
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
0.75
20
1.15
0.46
0.46
100
400
4.332
8.664
±100
1500
评级
民
4.5
2.0
0.7 VDDD
0
6.5
0.3 VDDD
6.5
50
典型值
5.0
最大
5.5
单位
V
V
V
V
V
毫伏有效值
毫伏有效值
毫伏有效值
兆赫
兆赫
PPM
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
ms
µs
µs
µs
电源电压
输入高电平电压
输入低电平电压
输出电压
电气特性
在Ta = -40〜+ 85°C ， Vssd的= = Vssa连接0 V
参数
符号
Rmpxin
RCIN
Rf
fc
条件
MPXIN - Vssa连接： F = 57千赫
CIN - Vssa连接： F = 57千赫
XIN
藐视
56.5
2.5
28
评级
民
典型值
43
100
1.0
57.0
3.0
31
57.5
3.5
34
最大
单位
kΩ
kΩ
MΩ
千赫
千赫
dB
输入阻抗
内部反馈电阻
中心频率
-3 dB带宽
收益
BW - 3分贝藐视
收益
MPXIN - FLOOUT ： F = 57千赫
接下页。
第5602-4 / 15
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
