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2N6675 参数 Datasheet PDF下载

2N6675图片预览
型号: 2N6675
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 111 K
品牌: SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6674 2N6675
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6674
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6675
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2N6674
I
CBO
集电极截止电流
2N6675
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
V
CB
= 650V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=3V
I
C
= 10A ; V
CE
=2V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V;f=1MHz
15
8
15
1.0
40
20
兆赫
mA
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 15A ;我
B
=5A
I
C
= 10A ;我
B
=2A
V
CB
= 450V ;我
E
=0
0.1
mA
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
400
1.0
5.0
1.5
V
V
V
条件
300
V
典型值。
最大
单位
符号
2