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2SD600K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD600K
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 157 K
品牌: SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2SD600
I
C
= 1毫安; ř
BE
==
2SD600K
2SD600
I
C
= 10μA ;我
E
=0
2SD600K
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
I
C
= 0.5A ;我
B
=50mA
V
CB
= 50V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
F = 1MHz的; V
CB
=10V
条件
符号
2SD600 2SD600K
100
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
V
120
100
V
120
5
0.4
1.2
1
1
60
20
130
20
兆赫
pF
320
V
V
V
µA
µA
V
( BR ) CBO
集电极 - 基
击穿电压
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开关时间
t
f
t
关闭
t
英镑
下降时间
打开-O FF时间
贮存时间
I
C
= 500毫安; V
CE
=12V
I
B1
=-I
B2
=50mA
0.1
0.5
0.7
µs
µs
µs
h
FE-1
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2