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    2N4400 参数 Datasheet PDF下载

    2N4400图片预览
    型号： 2N4400
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 105 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
       
    2N4400
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    0.6 A ， 60 V
    NPN塑料封装晶体管
    特点
    通用放大器晶体管
    TO-92
    辐射源
    BASE
    集热器
    G
    H
    J
    A
    D
    B
    K
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.70
    4.30
    4.70
    12.70
    -
    3.30
    3.81
    0.36
    0.56
    0.36
    0.51
    1.27 TYP 。
    1.10
    -
    2.42
    2.66
    0.36
    0.76
    集热器
    
    
    BASE
    E
    C
    F
    
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    热阻，结到环境
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    60
    40
    6
    0.6
    625
    200
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    C / W
    °C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    *
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    民
    60
    40
    6
    -
    -
    20
    40
    50
    20
    -
    -
    0.75
    -
    -
    -
    200
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    -
    -
    150
    -
    0.4
    0.75
    0.95
    1.2
    6.5
    30
    -
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    测试条件
    I
    C
    = 0.1毫安，我
    E
    = 0A
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    = 0A
    I
    E
    = 0.1毫安，我
    C
    = 0A
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    = 0 A
    V
    EB
    = 6V ，我
    C
    = 0毫安
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 150毫安
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 500毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 150毫安，我
    B
    =15mA
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    CB
    = 5V ，我
    E
    = 0A ， F = 1MHz的
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    = 0A ， F = 1MHz的
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 20mA时， F = 100MHz的
    直流电流增益
    h
    FE
    *
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    集电极输出电容
    发射极输入电容
    跃迁频率
    V
    CE （ SAT ）
    *
    V
    BE （ SAT ）
    *
    C
    ob
    C
    ib
    f
    T
    *
    V
    V
    pF
    pF
    兆赫
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≦
    300
    μs,
    占空比
    ≦
    2.0%.
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    29月- 2010版本A
    第1页1

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