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2N5172 参数 Datasheet PDF下载

2N5172图片预览
型号: 2N5172
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内容描述: NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 76 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
2N5172
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
0.5 A , 25 V
NPN塑料封装晶体管
特点
通用放大器晶体管
G
H
TO-92
J
A
D
B
K
:辐射源
-collector
: BASE
集热器

REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K

BASE

辐射源
E
C
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
热阻,结到环境
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
25
25
5
0.5
625
200
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
25
25
5
-
-
100
-
0.5
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
0.1
500
0.25
1.2
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
测试条件
I
C
= 0.01毫安,我
E
=0A
I
C
= 10毫安,我
B
=0A
I
E
= 0.01毫安,我
C
=0A
V
CB
= 25V ,我
E
=0A
V
EB
= 5V ,我
C
=0mA
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
29月- 2010版本A
第1页1