2N7002DW
公司Bauelemente
115毫安， 60VOLTS ， RDS （ ON） = 7.5
W
小信号MOSFET
符合RoHS产品
SOT-363
小信号MOSFET
115毫安， 60伏
N沟道SOT- 363
.055(1.40)
.047(1.20)
.026TYP
(0.65TYP)
.021REF
(0.525)REF
.096(2.45)
.085(2.15)
8
o
0
o
马XIMUM R成为ING S
ř阿婷
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）
栅源电压
- 连续
S ymbol
VDSS
VDGR
VGS
价值
60
60
± 20
单位
VDC
VDC
VDC
.053(1.35)
.045(1.15)
.018(0.46)
.010(0.26)
.014(0.35)
.006(0.15)
.087(2.20)
.079(2.00)
.006(0.15)
.003(0.08)
.004(0.10)
.000(0.00)
.039(1.00)
.035(0.90)
.043(1.10)
.035(0.90)
T他ř MA L C HA R A Ç T E R为叔IC S
Ç harac teris抽动
器件总功耗FR- 5局
（注3 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
S ymbol
PD
R
θ
JA
TJ ， TSTG
最大
150
1.8
625
– 55 ~
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
D
2
G
1
S
1
尺寸以英寸（毫米）
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≦
300微秒，占空比
≦
2.0%.
3， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
4.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.025 99.5 ％的氧化铝。
S
2
G
2
D
1
MA R·K ING DIA摹 - [R A M
Κ72
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01 -JAN- 2006版本B
第1页3
SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
