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2SA1036 参数 Datasheet PDF下载

2SA1036图片预览
型号: 2SA1036
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内容描述: PNP硅通用晶体管 [PNP Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 231 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SA1036的Datasheet PDF文件第2页  
2SA1036
公司Bauelemente
PNP硅
通用晶体管
的" - C"后缀指定卤素&无铅
SOT-23
3
集热器
暗淡
A
B
C
D
G
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
特点
。大我
C
, I
C
最大
.=-500mA
1
2
A
L
3
3
1
BASE
2
B·S
2
。低V
CE ( SAT )
,适用于低电压操作
。小包装。
V
顶视图
1
辐射源
H
J
K
L
S
G
C
。符合RoHS产品
H
V
K
J
(最大
额定值* T
A
=25℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
英镑
D
单位:mm外形尺寸
参数
价值
-40
-32
-5
-500
150
-55~125
单位
V
V
V
mA
mW
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
器件总功耗
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能
受损。
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃ ,除非
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
TEST
否则
特定网络版)
-40
-32
-5
-1
-1
82
390
-0.4
200
7
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
条件
IC = -100u A,I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
= -100 ü A,I
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-3V,I
C
=-10mA
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-5V,I
C
=-20mA,f=100MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
范围
记号
h
FE
P
82-180
HP
Q
120-270
HQ
R
180-390
HR
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
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