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    2SA1037 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1037图片预览
    型号： 2SA1037
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅通用晶体管 [PNP Silicon General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 371 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SA1037的Datasheet PDF文件第2页  
    2SA1037
    公司Bauelemente
    -0.15A ， -60V
    PNP硅通用晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素和无铅
    特点
    优秀ħ
    FE
    线性度。
    补充2SC2412的
    A
    L
    3
    SOT-23
    机械数据
    案例： SOT -23 ，模压塑料
    重量： 0.008克（约）
    1
    3
    顶视图
    2
    C B
    1
    2
    K
    E
    D
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SA1037-Q
    120~270
    FQ
    2SA1037-R
    180~390
    FR
    2SA1037-S
    270~560
    FS
    F
    G
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.80
    3.04
    2.10
    2.55
    1.20
    1.40
    0.89
    1.15
    1.78
    2.04
    0.30
    0.50
    H
    J
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.09
    0.18
    0.45
    0.60
    0.08
    0.177
    0.6 REF 。
    0.89
    1.02
    包装信息
    包
    SOT-23
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    1
    BASE
    集热器
    3
    2
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    收藏家Currrent
    集电极耗散功率
    结&储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -60
    -50
    -6
    -150
    200
    +150, -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    直流电流增益
    跃迁频率
    集电极输出电容
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    分钟。
    -60
    -50
    -6
    -
    -
    -
    120
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    140
    4.0
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    -0.5
    560
    -
    5.0
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    V
    测试条件
    I
    C
    = -50μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1μA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -60V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -6V ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    =-5mA
    V
    CE
    =-6V,I
    C
    =-1mA
    兆赫
    pF
    V
    CE
    = -12V ，我
    E
    = -2mA ， F = 30MHz的
    V
    CB
    = -12V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    规范的任何更改将不个别通知。
    31日-12月2010版本C
    第1页2

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