2SA1162
公司Bauelemente
PNP硅
通用晶体管
的" - C"后缀指定卤素&无铅
SOT-23
3
暗淡
集热器
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
特点
n
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
1
2
A
1
L
B·S
BASE
3
符合RoHS产品
低噪音： NF = 1分贝（典型值） ， 10分贝（最大）
补充2SC2712 。
小包装。
V
1
3
n
顶视图
G
2
辐射源
n
2
n
C
V
K
J
（最大额定值* T
A
=25 C )
O
D
H
单位：mm外形尺寸
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
英镑
参数
价值
-50
-50
-5
150
150
-55~125
单位
V
V
V
mA
mW
℃
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
器件总功耗
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能
受损。
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃ ，除非
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
TEST
否则
特定网络版）
民
-50
-50
-5
-0.1
-0.1
70
400
-0.3
80
7
10
V
兆赫
pF
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
条件
IC = -100u A，I
E
=0
Ic=-1mA,I
B
=0
I
E
= -100 ü A，I
C
=0
V
CB
=-50V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-6V,I
C
=-2mA
I
C
=-100mA,I
B
=-10mA
V
CE
=-10V,I
C
=-1mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=-6V,I
c
=0.1mA,
f=1KHZ,Rg=10KΩ
分类
秩
范围
记号
http://www.SeCoSGmbH.com
h
FE
O
70-140
SO
Y
120-240
SY
GR （ G）
200-400
SG
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
