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2SA1201 参数 Datasheet PDF下载

2SA1201图片预览
型号: 2SA1201
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内容描述: PNP硅外延平面晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 232 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SA1201的Datasheet PDF文件第2页  
2SA1201
PNP硅
公司Bauelemente
符合RoHS产品
外延平面晶体管
SOT-89
特点
高压
高转换频率
补充2SC2881
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
价值
-120
-120
-5
-0.8
0.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
结温
储存温度
电气特性(环境温度Tamb = 25
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
-120
-120
-5
-0.1
-0.1
80
240
-1
-1
120
30
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-1mA,I
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-1mA,I
C
=0
V
CB
=-120V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-5V,I
C
=-500mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
范围
记号
h
FE
O
80-160
DO
Y
120-240
DY
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
08月, 2007年修订版A
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