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2SA562 参数 Datasheet PDF下载

2SA562图片预览
型号: 2SA562
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内容描述: PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 479 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SA562的Datasheet PDF文件第2页  
2SA562
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
-0.5A , -35V
PNP塑料封装晶体管
特点
优秀ħ
FE
线性
G
H
TO-92
分类h及
FE
产品等级
范围
2SA562-O
70~140
2SA562-Y
120~240
A
B
REF 。
J
D
1
辐射源
2
集热器
3
BASE
K
E
C
F
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
集热器
2
3
BASE
1
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
-35
-30
-5
-500
500
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
分钟。
-35
-30
-5
-
-
70
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
200
13
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
240
-0.25
-1
-
-
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
= 0A
I
C
= -1mA ,我
B
= 0A
I
E
= -100μA ,我
C
= 0A
V
CB
= -35 V,I
E
= 0 A
V
EB
= -5 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -20mA
V
CB
= -6V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
14 -JAN- 2011版本B
第1页2