2SB1386 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1386
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内容描述：	PNP硅低频晶体管 [PNP Silicon Low Frequency Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 510 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2SB1386

公司Bauelemente

-5A ， -30V

PNP硅低频晶体管

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

特点

低V

（SAT）

优良的直流电流增益特性

补充2SD2098

SOT-89

分类h及

产品等级

范围

记号

2SB1386-P

82~180

必和必拓

2SB1386-Q

120~270

BHQ

2SB1386-R

180~390

BHR

包装信息

包

SOT-89

MPQ

LeaderSize

7'寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.40

4.60

3.94

4.25

1.40

1.60

2.30

2.60

1.50

1.70

1.2

0.89

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.40

0.58

1.50 TYP

3.00 （典型值）

0.32

0.52

0.35

0.44

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

集电极耗散功率

结&储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

, T

英镑

评级

-30

-20

-6

-5

-10

单位

A（ DC ）

A（脉冲）

(1)

(2)

°C

0.5

150, -55~150

注意：

(1)

单脉冲， PW = 10毫秒。

(2)

当安装在一个40×40 ×0.7mm厚的陶瓷板。

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益*

跃迁频率

输出电容

*实测

利用脉冲电流。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

分钟。

-30

-20

-6

典型值。

120

马克斯。

-0.5

-1.0

390

单位

μA

兆赫

测试条件

IC=-50µA

= -1mA

= -50µA

= -20V

= -5V

= -4A/-0.1A

= -2V ，我

= -0.5A

= -6V ，我

= -50mA ， F = 30MHz的

= -20V ，我

= 0中，f = 1MHz的

CE （ SAT ）

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

10-Dec-2010

版本B

第1页3

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