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2SB624 参数 Datasheet PDF下载

2SB624图片预览
型号: 2SB624
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内容描述: PNP硅塑封晶体管 [PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 422 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SB624的Datasheet PDF文件第2页  
2SB624
公司Bauelemente
-0.7A , -30V
PNP硅塑封晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
SOT-23
A
L
3
3
高直流电流增益。 ħ
FE
:200
(典型值)(V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA )
免费为2SD596
记号
1
顶视图
C B
1
2
2
产品等级
范围
产品等级
范围
2SB624-BV1
110~180
2SB624-BV4
200~320
2SB624-BV2
135~220
2SB624-BV5
250~400
2SB624-BV3
170~270
K
E
D
F
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.00
2.25
2.55
1.20
1.40
0.90
1.15
1.80
2.00
0.30
0.50
H
REF 。
G
H
J
K
L
J
毫米
分钟。
马克斯。
0.10 REF 。
0.55 REF 。
0.08
0.15
0.5 REF 。
0.95典型。
包装信息
SOT-23
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸
集热器



BASE
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温和存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-30
-25
-5
-700
200
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极
饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
http://www.SeCoSGmbH.com/
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE( 1)*
h
FE (2) *
V
CE (SAT) *
V
BE *
f
T
C
ob
分钟。
-30
-25
-5
-
-
110
50
-
-0.6
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
160
17
马克斯。
-
-
-
-0.1
-0.1
400
-
-0.6
-0.7
-
-
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= -100ìA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -100ìA ,我
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
= -100mA
V
CE
= -1V ,我
C
= -700mA
V
V
兆赫
pF
I
C
= -700mA ,我
B
= -70mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -6V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度
350
S,占空比
2%.
规范的任何更改将不个别通知。
15 -FEB- 2011版本A
第1页2