2SB649A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB649A
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内容描述：	PNP型塑料封装晶体管 [PNP Type Plastic Encapsulate Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 254 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2SB649/2SB649A

公司Bauelemente

符合RoHS产品

的" - C"后缀指定卤素&无铅

PNP型

塑料封装晶体管

TO-126C

8.0

±0.2

2.0

±0.2

4.14

±0.1

3.2

±0.2

特点

电源smplifier应用

功耗

1 W

（Tamb=25℃）

集电极电流

- 1.5 A

集电极 - 基极电压

（ BR ） CBO

: -180 V

集电极 - 发射极电压

首席执行官

2SB649 ： -120 V

2SB649A ： -160 V

工作和存储结温范围

，T

英镑

： -55 ℃至+ 150

电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

FE(1)

直流电流增益

FE(2)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

CE （SAT）

= - 5V ，我

= -500mA

= - 400 mA时，我

= - 50毫安

= - 5V ，我

=-150mA

= -5V我

= - 150毫安

= -10 V，I

=0,f=1MHz

11.0

±0.2

O2.8

±0.1

3.2

±0.1

1.4

±0.1

1.27

±0.1

15.3

±0.2

0.76

±0.1

2.28典型。

4.55

±0.1

0.5

± 0.1

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

单位：毫米

除非

TEST

否则

特定网络版）

民

-180

最大

单位

-10

条件

Ic=-1mA

，

Ic=-10mA

，

= -1mA ，我

= - 160 V，I

= -4V ,

2SB649

2SB649A

2SB649

2SB649A

-120

-160

-5

= -5V ，我

= -150毫安

320

200

-1

-1.5

140

兆赫

该2SB649和2SB649A是用h分组

FE1

如下。

秩

2SB649

2SB649A

60 - 120

100 - 200

160 - 320

----

的说明书中的任何改变将不被通知个人

第1页

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