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    2SB709A 参数 Datasheet PDF下载

    2SB709A图片预览
    型号： 2SB709A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅通用晶体管 [PNP Silicon General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 621 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB709A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB709A的Datasheet PDF文件第3页  
    2SB709A
    公司Bauelemente
    -0.2A ， -45V
    PNP硅通用晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素和无铅
    特点
    对于一般的放大
    互补的2SD601A的
    A
    L
    3
    SOT-23
    3
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SB709A-Q
    160~260
    BQ1
    2SB709A-R
    210~340
    BR1
    2SB709A-S
    290~460
    BS1
    F
    1
    顶视图
    2
    C B
    1
    2
    K
    E
    D
    G
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.80
    3.04
    2.10
    2.55
    1.20
    1.40
    0.89
    1.15
    1.78
    2.04
    0.30
    0.50
    H
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    J
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.09
    0.18
    0.45
    0.60
    0.08
    0.177
    0.6 REF 。
    0.89
    1.02
    包装信息
    包
    SOT-23
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    集热器
    3
    1
    BASE
    2
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    收藏家Currrent
    集电极耗散功率
    结&储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -45
    -45
    -7
    -100
    200
    150, -55 ~ 150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    直流电流增益
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    V
    CE （ SAT ）
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    分钟。
    -45
    -45
    -7
    -
    -
    -
    160
    60
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -100
    -0.5
    460
    -
    2.7
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    V
    测试条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    B
    =0
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -10mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -2mA
    兆赫
    pF
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -1mA ， F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    21 -JAN- 2011版本B
    第1页3

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