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    2SB766A 参数 Datasheet PDF下载

    2SB766A图片预览
    型号： 2SB766A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 塑料封装晶体管 [Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 242 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB766A的Datasheet PDF文件第2页  
    2SB766A
    公司Bauelemente
    PNP
    塑料封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特点
    大集电极耗散功率P
    C
    补充2SD874A
    集热器
    M
    E
    B
    SOT-89
    A
    C
    D
    
    包装信息
    重量0.05克（约）
    
    辐射源
    I
    H
    G
    F
    BASE
    J
    K
    
    L
    REF 。
    记号
    B
    =的hFE排名
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.60
    4.05
    4.25
    1.50
    1.70
    1.30
    1.50
    2.40
    2.60
    0.89
    1.20
    REF 。
    G
    H
    I
    J
    K
    L
    M
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    3.00参考。
    1.50 REF 。
    0.40
    0.52
    1.40
    1.60
    0.35
    0.41
    5 ° TYP 。
    0.70 REF 。
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结&储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -60
    -50
    -5
    -1
    0.5
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °C
    PNP电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    OB
    分钟。
    -60
    -50
    -5
    -
    -
    85
    50
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.2
    -0.85
    200
    20
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    340
    -
    -0.4
    -1.2
    -
    30
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    测试条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -4 V，I
    C
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -500mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -1000mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -50mA ， F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    V
    兆赫
    pF
    中hFE2分类
    秩
    范围
    记号
    Q
    85 - 170
    BQ
    R
    120 - 240
    BR
    S
    170 - 340
    BS
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    01月， 2006年修订版A
    第1页2

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