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    2SB772 参数 Datasheet PDF下载

    2SB772图片预览
    型号： 2SB772
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP型塑料封装晶体管 [PNP Type Plastic Encapsulate Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 364 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB772的Datasheet PDF文件第2页  
    2SB772
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的" - C"后缀指定卤素&无铅
    PNP型
    塑料封装晶体管
    特点
    *功耗：
    P
    CM
    ： 625毫瓦（环境温度Tamb = 25
    o
    C)
    4.55
    ±0.2
    TO-92
    3.5
    ±0.2
    4.5
    ±0.2
    o
    最大额定值* T
    A
    =25
    C
    除非另有说明
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散
    结温
    储存温度
    价值
    -40
    -30
    -6
    -3
    0.625
    150
    -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    o
    14.3
    ±0.2
    0.46
    +0.1
    –0.1
    （典型值1.27 。
    )
    1 2 3
    1.25
    –0.2
    +0.2
    0.43
    +0.08
    –0.07
    C
    C
    o
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    2.54
    ±0.1
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    符号
    V（ BR ）
    CBO
    V（ BR ）
    首席执行官
    V（ BR ）
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    （
    1
    ）
    h
    FE
    （
    2
    ）
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    除非
    TEST
    否则
    特定网络版）
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    -1
    -10
    -1
    60
    32
    -0.5
    -1.5
    50
    V
    V
    兆赫
    400
    μA
    μA
    μA
    -40
    -30
    -6
    条件
    I
    B
    =0
    民
    Ic=-100μA
    ，I
    E
    =0
    I
    C
    = -10毫安，
    I
    E
    = -100
    （一）I
    C
    =0
    V
    CB
    = -40 V，I
    E
    =0
    V
    CE
    = -30 V，I
    B
    =0
    V
    EB
    =-6V ,
    I
    C
    =0
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -1A
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -100mA
    I
    C
    =-2A,
    I
    C
    =-2A,
    I
    B
    = -0.2A
    I
    B
    = -0.2A
    I
    C
    =-0.1A
    f
    T
    V
    CE
    = -5V,
    f =
    10MHz
    分类h及
    FE(1)
    秩
    范围
    R
    60-120
    O
    100-200
    Y
    160-320
    GR
    200-400
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    01军， 2005年修订版
    B
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    第1页
    2

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