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2SC1008 参数 Datasheet PDF下载

2SC1008图片预览
型号: 2SC1008
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内容描述: NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 1 页 / 79 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
2SC1008
公司Bauelemente
0.7A ,80V
NPN塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
TO-92
G
H
通用的开关和放大。
J
:辐射源
: BASE
-collector
D
REF 。
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
分类h及
FE
产品等级
2SC1008 -R 2SC1008 -Q 2SC1008 -Y 2SC1008 -G
范围
40~80
70~140
120~240
200~400
K
A
B
E
C
F
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
集热器


BASE

辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
80
60
8
0.7
800
156
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
80
60
8
-
-
40
-
-
30
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
最大
-
-
-
0.1
0.1
400
0.4
1.1
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 0.1毫安,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 0.01毫安,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=50mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 10V ,我
C
=50mA
V
CB
= 10V ,我
C
= 0中,f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
14 -FEB - 2011版本A
第1页1