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2SC1162 参数 Datasheet PDF下载

2SC1162图片预览
型号: 2SC1162
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内容描述: NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 393 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SC1162的Datasheet PDF文件第2页  
2SC1162
公司Bauelemente
2.5A , 35V
NPN塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
TO-126
低频功率放大器
:辐射源
-collector
: BASE
分类h及
FE (1)
产品等级
范围
2SC1162-B
60~120
2SC1162-C
100~200
2SC1162-D
A
160~320
E
F
B
C
L
K
N
M
J
H
D
集热器
G
REF 。
BASE

辐射源
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
7.40
7.80
2.50
2.90
10.60
11.00
15.30
15.70
3.70
3.90
3.90
4.10
2.29 (典型值) 。
REF 。
H
J
K
L
M
N
毫米
分钟。
马克斯。
1.10
1.50
0.45
0.60
0.66
0.86
2.10
2.30
1.17
1.37
3.00
3.20
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
35
35
5
2.5
750
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家切 - 关电流
发射器切 - 关电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*脉冲测试
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE ( SAT )
f
T
V
BE
分钟。
35
35
5
-
-
60
20
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
180
-
马克斯。
-
-
-
20
20
320
-
1
-
1.5
单位
V
V
V
μA
μA
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 1mA时,我
C
=0
V
CB
= 35V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 2V ,我
C
=1.5A*
I
C
= 2A ,我
B
=200mA
V
CE
= 2V ,我
C
=200mA
V
CE
= 2V ,我
C
=1.5A
V
兆赫
V
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
07 -MAR - 2011版本A
第1页2