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2SC1213 参数 Datasheet PDF下载

2SC1213图片预览
型号: 2SC1213
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内容描述: NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 73 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SC1213的Datasheet PDF文件第2页  
2SC1213 & 2SC1213A
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
NPN硅
通用晶体管
特征
低频放大器
TO-92
功耗
P
CM
:
0.4 W(环境温度Tamb = 25℃)
2
3
集电极电流
I
CM
:
0.5
A
35
50
V
V
1
1
2
3
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: 2SC1213 :
2SC1213A :
1.发射器
2.收集
3. BASE
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
:
-55 °C至+ 150 °
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
2SC1213
2SC1213A
集电极 - 发射极击穿电压
2SC1213
2SC1213A
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
符号
V( BR )
CBO
TEST
条件
35
50
35
50
4
0.5
60
10
0.2
0.6
0.75
V
V
320
典型值
最大
单位
V
IC = 10μA ,我
E
=0
V( BR )
首席执行官
V( BR )
EBO
I
CBO
h
FE(1)
I
C
= 1毫安,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
CE
= 3V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 3V ,我
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
V
CE
= 3V ,我
C
= 10毫安
V
V
µA
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
V
CE ( SAT )
V
BE
分类h及
FE(1)
范围
B
60-120
C
100-200
D
160-320
http://www.SeCoSGmbH.com/
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
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