2SC1384 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC1384
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内容描述：	NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 142 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2SC1383/2SC1384

公司Bauelemente

符合RoHS产品

的" - C"后缀指定卤素&无铅

6.0

±0.2

NPN硅

通用晶体管

TO-92国防部

4.9

±0.2

特征

功耗

1.0

±0.1

集电极电流

1 A

2.0

+0.3

–0.2

±0.2

0.50

+0.1

–0.1

(1.50

TYP 。）

1.9

+0.1

–0.1

0.45

+0.1

–0.1

1 W （环境温度Tamb = 25℃）

集电极 - 基极电压

（ BR ） CBO

2SC1383 ： 30 V

2SC1384 ： 50 V

工作和存储结温范围

, T

英镑

： -55 ℃〜+ 150 ℃

8.6

±0.2

1 2 3

3.0

±0.1

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

单位：mm

电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃

参数

集电极 - 基极击穿电压

2SC1383

2SC1384

集电极 - 发射极击穿电压

2SC1383

2SC1384

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

除非

符号

V（ BR ）

CBO

否则

TEST

特定网络版）

民

0.1

0.4

1.2

100

兆赫

340

最大

单位

条件

IC = 10μA ，我

V（ BR ）

首席执行官

V（ BR ）

EBO

CBO

FE(1)

= 2毫安，

µA

= 10μA ，我

=20V ,

=10 V,

=5 V,

= 500毫安

= 1A

直流电流增益

FE(2)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

= 5亿，我

=50mA

= 500毫安，

= 50毫安

= 10 V，I

= 50毫安

分类h及

FE(1)

秩

范围

85-170

120-240

170-340

http://www.SeCoSGmbH.com/

01君2002年修订版A

的说明书中的任何改变将不被通知个人

第1页3

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