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2SC1675图片预览
型号: 2SC1675
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内容描述: NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 78 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
2SC1675
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
0.05 A, 50 V
NPN塑料封装晶体管
特点
低集电极电流
通用开关和放大
TO-92
G
H
J
A
D
B
K
:辐射源
: BASE
-collector
分类h及
FE
产品等级
范围
2SC1675-R
40~80
2SC1675-O
70~140
2SC1675-Y
120~240
E
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
C
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
集热器
BASE

辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
50
30
5
50
625
200
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
mW
C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家切 - 关电流
发射器切 - 关电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
分钟。
50
30
5
-
-
40
-
-
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
240
0.3
0.75
-
2.5
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 5毫安,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
V
CB
= 6V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
24月- 2011版本A
第1页1