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    2SC1959 参数 Datasheet PDF下载

    2SC1959图片预览
    型号： 2SC1959
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 79 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
       
    2SC1959
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    0.5 A ， 35 V
    NPN塑料封装晶体管
    特点
    优秀ħ
    FE
    线性
    高转换频率
    TO-92
    G
    H
    J
    A
    D
    B
    ：辐射源
    -collector
    ： BASE
    分类h及
    FE
    产品等级
    hFE(1)
    范围
    hFE(2)
    2SC1959-O
    70~140
    25Min
    2SC1959-Y
    120~240
    40Min
    2SC1959-GR
    200~400
    E
    K
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    C
    F
    -
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.70
    4.30
    4.70
    12.70
    -
    3.30
    3.81
    0.36
    0.56
    0.36
    0.51
    1.27 TYP 。
    1.10
    -
    2.42
    2.66
    0.36
    0.76
    集热器
    BASE
    
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    35
    30
    5
    500
    500
    250
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    C / W
    °C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    收藏家切 - 关电流
    发射器切 - 关电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极电压
    集电极输出电容
    跃迁频率
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    C
    ob
    f
    T
    分钟。
    35
    30
    5
    -
    -
    70
    25
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    7
    300
    马克斯。
    -
    -
    -
    0.1
    0.1
    400
    -
    0.25
    1
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    测试条件
    I
    C
    = 0.1毫安，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 0.1毫安，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 35V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =100mA
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    =400mA
    V
    V
    pF
    兆赫
    I
    C
    = 100mA时我
    B
    =10mA
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    =100mA
    V
    CB
    = 6V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = 6V ，我
    C
    =20mA
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    24月- 2011版本A
    第1页1

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