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    2SC2235 参数 Datasheet PDF下载

    2SC2235图片预览
    型号： 2SC2235
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 177 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SC2235的Datasheet PDF文件第2页  
    2SC2235
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的" - C"后缀指定卤素&无铅
    NPN硅
    通用晶体管
    特点
    补充2SA965
    TO-92国防部
    6.0
    ±0.2
    4.9
    ±0.2
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    B
    B
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    B
    B
    价值
    120
    120
    5
    0.8
    0.9
    150
    -55to+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    1.0
    ±0.1
    B
    B
    V
    EBO
    B
    B
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    I
    C
    B
    B
    P
    C
    B
    B
    14
    ±0.2
    0.50
    +0.1
    –0.1
    (1.50
    TYP 。 ）
    1.9
    +0.1
    –0.1
    1 2 3
    3.0
    ±0.1
    0.45
    +0.1
    –0.1
    V
    首席执行官
    T
    J
    B
    B
    T
    英镑
    B
    B
    2.0
    +0.3
    –0.2
    8.6
    ±0.2
    1 ：发射器
    2 ：收藏家
    3 ：基本
    单位：mm
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    B
    除非另有规定编）
    TEST
    条件
    B
    B
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    B
    B
    B
    B
    民
    120
    120
    5
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    =1mA,I
    E
    =0
    B
    V
    （ BR ） CEO
    B
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =0
    B
    B
    B
    B
    V
    （ BR ） EBO
    B
    B
    I
    E
    =1mA,I
    C
    =0
    B
    B
    B
    B
    I
    CBO
    B
    B
    V
    CB
    =120V,I
    E
    =0
    B
    B
    B
    B
    0.1
    0.1
    80
    240
    1.0
    1.0
    120
    30
    μA
    μA
    I
    EBO
    B
    B
    V
    EB
    =5V,I
    C
    =0
    B
    B
    B
    B
    h
    FE
    B
    B
    B
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =100mA
    B
    B
    B
    B
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    B
    B
    I
    C
    =500mA,I
    B
    =50mA
    B
    B
    B
    B
    V
    V
    兆赫
    pF
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =5V
    B
    B
    B
    B
    f
    T
    B
    B
    V
    CE
    = 5V ，我
    C
    =100mA
    B
    B
    B
    B
    COB
    V
    CE
    = 10V ，我
    E
    =0
    B
    B
    B
    B
    f=1MHz
    分类
    秩
    范围
    h
    FE
    O
    80
    -
    160
    Y
    120
    -
    240
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    17月， 2007年修订版A
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    第1页2

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