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型号: 2SC2712
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内容描述: NPN硅通用晶体管 [NPN Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 184 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
2SC2712
公司Bauelemente
NPN硅
通用晶体管
的" - C"后缀指定卤素&无铅
SOT-23
特点
*功耗
P
CM
:
150毫瓦(环境温度Tamb = 25
o
C)
*集电极电流
I
CM
:
150毫安
*集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
:
60 V
*操作和
存储结温范围
T
J
,T
英镑
:
-55~+150 C
* RoHS标准的产品
o
1
3
3
集热器
BASE
暗淡
A
B
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
1
2
辐射源
C
D
G
A
L
B·S
H
J
K
L
S
V
C
2
顶视图
G
V
单位:mm外形尺寸
K
J
D
H
电气特性(环境温度Tamb = 25
o
C
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
噪声系数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
NF
除非另有规定编)
TEST
条件
60
50
5
0.1
0.1
70
0.1
80
2.0
1.0
3.5
10
700
0.25
V
兆赫
pF
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
µA
IC = 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 60 V,I
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
=2mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
=6V,I
C
=0.1mA,f=1kHz,
Rg=10kΩ
分类h及
FE
范围
记号
O
70-140
LO
Y
120-240
LY
GR
200-400
LG
BL
350-700
LL
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
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