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2SC3356 参数 Datasheet PDF下载

2SC3356图片预览
型号: 2SC3356
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内容描述: NPN硅塑封装晶体管 [NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 247 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SC3356
公司Bauelemente
NPN硅
塑料封装晶体管
的" - C"后缀指定卤素&无铅
SOT-23
暗淡
A
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
A
L
特点
n
3.COLLECTOR
3
B
C
B·S
2
功耗
符合RoHS产品
1.BASE
2.EMITTER
顶视图
1
D
G
H
J
K
L
S
V
n
V
G
C
D
H
K
J
单位:mm外形尺寸
最大额定值*
T
A
= 25°C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
o
o
价值
20
12
3
0.1
单位
V
V
V
A
W
o
0.2
-55~150
C
电气CH ARACTERIST ICS (TAM B = 25℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
噪声系数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
除非另有SP ecified )
TEST
条件
20
12
3
1
1
50
6
2
300
GHz的
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
Ic=10
µ
A,I
E
=0
IC = 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10
µ
A,I
C
=0
V
CB
= 10 V,I
E
=0
V
EB
= 1V ,
I
C
=0
µ
A
µ
A
V
CE
= 10V ,我
C
= 20mA下
V
CE
= 10V ,我
C
= 20mA下
V
CE
= 10V ,我
C
= 7毫安中,f = 1GHz的
f
T
F
分类h及
FE
记号
范围
http://www.SeCoSGmbH.com
R23
Q
50-100
R24
R
80-160
R25
S
125-250
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页
3