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    2SC4226 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4226图片预览
    型号： 2SC4226
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 3 页 / 253 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SC4226的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC4226的Datasheet PDF文件第3页  
    2SC4226
    公司Bauelemente
    0.1A ， 20V
    NPN硅外延平面晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特征
    ●
    ●
    ●
    SOT-323
    A
    3
    3
    低噪音
    高增益
    功耗（P
    C
    =150mW)
    1
    L
    顶视图
    C B
    1
    2
    2
    应用
    ●
    K
    E
    D
    高频低噪声放大器。
    F
    G
    H
    J
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SC4226-P
    40~80
    r23
    2SC4226-Q
    70~140
    r24
    2SC4226-R
    125~250
    r25
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    1.80
    2.20
    1.80
    2.45
    1.15
    1.35
    0.80
    1.10
    1.20
    1.40
    0.20
    0.40
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.100 REF 。
    0.525 REF 。
    0.08
    0.25
    -
    -
    0.650典型。
    包装信息
    包
    SOT-323
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    
    BASE
    集热器
    
    
    辐射源
    绝对最大额定值
    ( T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    20
    12
    3
    100
    150
    +150, -65 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    电气特性
    ( T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    跃迁频率
    反馈电容
    噪声系数
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    C
    re
    NF
    分钟。
    20
    12
    3
    -
    -
    40
    3.0
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    110
    4.5
    0.7
    1.2
    马克斯。
    -
    -
    -
    1
    1
    250
    -
    1.5
    2.5
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    GHz的
    pF
    dB
    测试条件
    I
    C
    = 100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 1mA时，我
    B
    =0
    I
    E
    = 100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 1V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    =7mA
    V
    CE
    = 3V ，我
    E
    =7mA
    V
    CE
    = 3V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = 3V ，我
    C
    = 7毫安中，f = 1GHz的
    24月- 2011版本B
    第1页3

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