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2SC4672 参数 Datasheet PDF下载

2SC4672图片预览
型号: 2SC4672
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内容描述: NPN硅外延硅茶nsistor [NPN Silicon Epitaxial Silicon Tra nsistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 265 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SC4672的Datasheet PDF文件第2页  
2SC4672
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN硅
外延硅晶体管
SOT-89
描述
该2SC4672是专为低
频放大器的应用。
特点
*优异的直流电流增益特性
*低饱和电压,通常V
CE ( SAT )
=0.1V
在我
C
/I
B
=1A/50mA
REF 。
A
B
C
D
E
F
o
毫米
分钟。
马克斯。
4.4
4.6
4.05
4.25
1.50
1.70
1.30
1.50
2.40
2.60
0.89
1.20
REF 。
G
H
I
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
3.00参考。
1.50 REF 。
0.40
0.52
1.40
1.60
0.35
0.41
5 Q TYP 。
0.70 REF 。
在T绝对最大额定值
A
=25 C
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
结温和存储温度
o
参数
价值
60
50
6
2
5
2
-55~+150
单位
V
V
V
A
W
O
I
C
P
D
T
J,
T
英镑
C
电气特性环境温度Tamb = 25
C
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
集电极饱和电压
直流电流增益
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE
(SAT)
60
50
6
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
0.1
-
最大
-
-
-
100
100
0.35
单位
V
V
V
nA
nA
V
测试条件
I
C
=50µA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=50µA,I
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
I
C
=1A,I
B
=50mA
V
CE
= 2 V,I
C
± 500毫安
V
CE
= 2 V,I
C
=500mA,f=100MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz时,我
E
=0
*h
FE
120
400
-
增益带宽积
fT
-
210
-
输出电容
-
C
ob
25
*脉冲条件下测得的。脉冲宽度
380
µ
S,占空比
2%
MH ž
pF
分类的hFE的
范围
A
120~240
B
200~400
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
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